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Samsung

Samsung NVMe™ 2.0 SSD 990 Evo Plus 2TB

334441

  • 2 TB Speicherkapazität,  
  • Formfaktor M.2 2280,  
  • Lesegeschwindigkeit bis zu 7.250 MB/s,  
  • Schreibgeschwindigkeit bis zu 6.300 MB/s,  
  • Bis zu 1.000.000 IOPS Random Read (4 KB, QD32),  
  • Bis zu 1.350.000 IOPS Random Write (4 KB, QD32),  
  • 256 Bit AES-Verschlüsselung,  
  • TRIM-, S.M.A.R.T Unterstützung,  
  • V-NAND TLC Technologie, Garbage Collection,  
449,99 €
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Artikeldetails Features Technische Daten Produktsicherheit und Informationen

Artikeldetails für Samsung NVMe™ 2.0 SSD 990 Evo Plus 2TB

Rasant durch deinen Tag
Erledige deine Aufgaben im Handumdrehen. Die 990 EVO Plus M.2 (2TB) mit aktuellem NAND-Flash-Speicher bietet sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.150/6.300 MB/s. Große Dateien, schnell übertragen.

Mit cooler Power durch den Tag
Der nickelbeschichtete Controller Fokussiere dich ganz auf deine Arbeit oder dein Gaming, ohne dir Gedanken um Überhitzung oder die Akkulaufzeit machen zu müssen.

Viel Platz. Viel Geschwindigkeit.
Nutze die volle Leistung deines Laufwerks mit intelligentem TurboWrite 2.0. Verarbeite schnell große Datenmengen und bewältige anspruchsvolle Grafiken mit einem großen TurboWrite-Bereich

Samsung Magician Software
Moderne Laufwerksverwaltung wie von Zauberhand - mit der Samsung Magician Software. Die benutzerfreundliche Software-Lösung kann dir dabei helfen, immer ein Auge auf deine SSD zu haben. Damit kannst du dein Laufwerk mit Updates auf einem neuen Stand halten, Statusparameter und Geschwindigkeit überwachen und auch die Leistungsfähigkeit anpassen.

Produkt-Highlights

  • 2 TB Speicherkapazität,  
  • Formfaktor M.2 2280,  
  • Lesegeschwindigkeit bis zu 7.250 MB/s,  
  • Schreibgeschwindigkeit bis zu 6.300 MB/s,  
  • Bis zu 1.000.000 IOPS Random Read (4 KB, QD32),  
  • Bis zu 1.350.000 IOPS Random Write (4 KB, QD32),  
  • 256 Bit AES-Verschlüsselung,  
  • TRIM-, S.M.A.R.T Unterstützung,  
  • V-NAND TLC Technologie, Garbage Collection,  

Features

Technische Daten

Ausstattung & Technik
Lesegeschwindigkeit (MB/s):
7250
Schreibgeschwindigkeit (MB/s):
6300
Random Read (IOPS):
1000000
Random Write (IOPS):
1350000
TRIM Unterstützung:
ja
Garbage Collection:
ja
SMART Unterstützung:
ja
Gehäuse-Eigenschaften
Breite (cm):
8.02
Höhe (cm):
2.22
Tiefe (cm):
0.24
Gewicht (g):
9
min. Betriebstemperatur (°C):
0
max. Betriebstemperatur (°C):
70
Leistungseigenschaften
Hardwareverschlüsselung:
ja
Solid-State-Disk (GB):
2000
Lesegeschwindigkeit (MB/s):
7250
Schreibgeschwindigkeit (MB/s):
6300
Random Read (IOPS):
1000000
Random Write (IOPS):
1350000
TRIM Unterstützung:
ja
SMART Unterstützung:
ja
Garbage Collection:
ja
mittl. Lebensdauer MTBF (in Tsd. Std.):
1500
NVM Express (NVMe):
ja
Ausstattung
Solid-State-Disk:
ja
Schnittstellen
M.2 Schnittstelle:
ja
PCIe 4.0 x4 Schnittstelle:
ja
Stromversorgung
Leistungsaufnahme (W):
4.6

Hersteller

Samsung
PO Box
IE 12987 Dublin


www.samsung.com
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